王豪杰，崔碧峰，王启东，许建荣，王翔媛，李彩芳

（1.北京工业大学微电子学院，北京 100124；2.中国科学院微电子研究所，北京 100029)

1 引言

随着5G通信的发展，射频系统的复杂度越来越高，系统内部集成的无源元件和有源器件数量呈几何级增长，射频系统的小型化集成变得尤为重要[1-2]。射频系统通常包括基带、射频和天线三部分，其中基带部分用于处理物理层中的所有通信算法；射频部分则包括发射通道和接收通道，信号发射时，射频部分将基带信号转换成射频信号，通过天线发射信号；接收信号时，天线接收信号，射频部分将接收的射频信号转换成基带信号。

目前射频系统主要有SoC（System on Chip）和SiP（System in Package）两种集成方式[3-6]。SoC中不同制造工艺的元器件，在一些情况下会出现工艺不兼容造成集成度降低，而且在射频系统中容易出现信号传输、电磁干扰和电磁屏蔽、系统散热等问题[7-8]，无法真正实现射频系统的异质集成。SiP的发展正好弥补了SoC技术的不足，不仅可以减小系统体积，提高系统性能，还具有灵活的设计方案、系统的异质集成、较短的开发周期。相比于普通封装，射频系统封装更加注重器件封装后的散热、射频信号传输、电磁屏蔽等能力[9-11]。为实现更高的射频系统封装能力，现已开发出多种射频封装结构，其中又以先进三维封装结构作为未来主要发展方向。本文详细介绍了3种主流的射频先进三维封装结构及相关工艺，为射频系统三维封装发展提供一定的研究基础。……