反铁磁轴子绝缘体候选材料EuIn2As2的表面原子排布和电子结构*
2021-10-08李渊邓翰宾王翠香李帅帅刘立民朱长江贾可孙英开杜鑫于鑫关童武睿3张书源石友国3毛寒青
物理学报 2021年18期
关键词:结构
李渊 邓翰宾 王翠香 李帅帅 刘立民 朱长江 贾可 孙英开 杜鑫 于鑫 关童 武睿3) 张书源 石友国3)5) 毛寒青†
1)(中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190)
2)(中国科学院大学物理科学学院,北京 100049)
3)(松山湖材料实验室,东莞 523808)
4)(康奈尔大学物理系,伊萨卡 14853)
5)(中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049)
非平庸的能带拓扑性与磁性结合可以产生丰富的量子现象,包括量子反常霍尔效应、轴子绝缘体态等.不同于磁性掺杂和异质结方案,内禀磁性拓扑绝缘体避免了掺杂带来的无序,且制备工艺通常比异质结更加简单,因此对研究和利用磁性拓扑绝缘体都有重要的意义.最近,EuIn2As2 被认为是内禀反铁磁轴子绝缘体,本文使用低温扫描隧道显微镜研究了它的解理表面的原子排布和电子结构.结合原子分辨形貌图、晶格对称性分析以及局域态密度等信息,认为观测到的表面条纹结构来源于Eu 截止面50%覆盖度的 1 ×2 表面重构.通过条纹面的局域态密度测量,发现4 K 时费米能附近态密度存在非对称的谷-峰特征,该特征随温度升高逐渐变弱,在反铁磁相变温度以上完全消失,表明其与反铁磁序密切相关.此外,在某些台阶附近,伴随有少量迷宫状的结构,进一步分析认为可能是Eu 原子形成的翘曲结构导致的.这些结果为理解EuIn2As2的表面能带结构和拓扑性质提供了重要信息.
1 引 言
磁性与拓扑结合可以产生新奇的量子现象[1],比如量子反常霍尔效应……
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