张博宇 周佳凯 任程超 苏祥林 任慧志 赵颖 张晓丹 侯国付†

1)(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300350)

2)(天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300350)

3)(薄膜光电子技术教育部工程研究中心,天津 300350)

4)(天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心,天津 300350)

本征钝化层及p 型发射层对硅异质结太阳电池的性能具有重要的影响.本文在常规钝化层与晶硅衬底(c-Si)之间插入一层低功率、高氢稀释比沉积的超薄缓冲层,以此来提高钝化效果,并拓宽钝化层工艺窗口.此外,设计并制备了具有宽带隙、高电导特性的重掺杂纳米晶硅/轻掺杂p 型双层复合发射极.实验结果表明,双层钝化层具有更加稳定与优异的钝化效果,钝化样品的少子寿命达到4.197 ms,隐含开路电压(implied-VOC,iVOC)达到726 mV.同时双层复合发射层中,轻掺杂的掺杂层可以减弱掺杂剂向本征钝化层的扩散,保证良好的钝化效果,而重掺杂的掺杂层不仅能够提供足够的内建电场,而且可以改善掺杂层与氧化铟锡薄膜的接触特性,进而提升电池的输出特性.并且高氢稀释比的前掺杂层还可以对钝化层起到氢处理的作用,减少钝化层表面的悬挂键,从而增强化学钝化效果,进而提高电池的开路电压.最终,基于商业化制绒的硅片,获得了效率达到20.96%的硅异质结太阳电池,其中开路电压为710 mV,短路电流密度为39.88 mA/cm2,填充因子为74.02%.

1 引 言

晶硅异质结太阳电池(silicon heterojuncion solar cells,SHJ)因为具备高效且低成本的优点而倍受国际光伏市场……