英利能源(中国)有限公司 李 倩

采用江苏微导纳米装备科技有限公司生产的管式镀膜设备，使用PECVD的方法制备氮化硅(SiNx)膜，测试不同工艺温度，射频功率下氮化硅膜的钝化效果，得出最佳工艺条件为：工艺温度450～500℃，射频功率12000W，并在该工艺条件下制备正面膜厚80nm，背面膜厚60nm，折射率2.08-2.10的氮化硅膜，测试该参数下TOPCon电池效率为22.82%。

为了减少硅片表面入射光反射率，增加光的吸收，除了硅片表面绒面化以外，另一个有效方法是在电池受光面制备减反射膜。在电池表面制作绒面的基础上再沉积减反射膜可使硅片表面的反射率从33%将至5%以下。在制备SiNx膜层的过程中存在大量的氢原子（可以达到25at%以上），可以饱和晶界上的悬挂键，显著减弱复合中心，降低表面态密度，对硅片表面和体内进行钝化，提高太阳电池的短路电流和开路电压。密的SiNx薄膜能较好的阻止Na和其他一些杂质离子向电池片扩散，SiNx薄膜还有良好的绝缘性、稳定性和抗紫外线性能，此外SiNx的防潮性能远优于其他减反射膜。这些特性有利于提高太阳能电池长期工作的稳定性。

沉积SiNx膜的CVD方式有三种：常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子体增强CVD（PECVD），采用PECVD方式制备的SiNx薄膜既具有良好的减反射效果，又有很好的表面钝化和体钝化效果，在太阳能电池生产中被广泛应用。由于影响SiNx薄膜特性的工艺条件众多，而且不同的工艺设备会有不同的最佳工艺条件，本文仅针对两项主要的工艺参数（工艺温度及射频功率）对钝化特性的影响做了研究分析。……