基于STM32的多通道探头阵列低频电磁检测系统研究
2021-09-27杨理践高松巍
仪表技术与传感器 2021年9期
黄 平,杨理践,高松巍,白 石
(沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳 110870)
0 引言
低频电磁技术(low-frequency electromagnetic technique,LFET)是近年来快速发展的一种新兴无损检测方法,主要采用可变磁化强度的非饱和磁化方式完成被检材料内部及外部腐蚀缺陷的检测。低频电磁检测技术优势主要集中在剩磁微弱、设备轻盈、使用便捷等方面,且可根据材料自身属性(材质、厚度等)适当调整激励方式(激励幅值、驱动频率等),一般采用电磁铁。
国内外学者对低频电磁检测技术作了大量实验研究和深入探讨,焦敬品[1]等提取缺陷处低频漏磁场信号相位及幅值并进行相应实验分析,认为幅值参数对上表面缺陷深度的变化较为敏感,而相位参数更能直接表征下表面缺陷深度变化。张晓竹[2]等利用COMSOL软件对不同类型缺陷低频漏磁场进行仿真分析,验证了低频电磁检测技术的可靠性与有效性。文献[3]对低频电磁检测技术中激励结构进行设计和优化,选取C型激励磁轭并安装有不超过1 mm厚度的屏蔽层,可在缺陷处获取更为显著的低频漏磁场。文献[4]通过在低频漏磁场信号接收介质(线圈或磁阻式传感器)中嵌入涡流线圈用以判别当前缺陷位于内表面还是外表面,并给出外加低频交流励磁场对涡流线圈的影响关系。郝宪锋[5]等设计了基于电流闭环反馈控制和线性大功率放大器的交流恒流激励源用于低频电磁检测技术中,有效提高了检测精度和稳定性。
本文主要整合……
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