国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心 张雄娥

低温多晶硅薄膜晶体管的研究已然成为全球研究热点，本文针对低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）普遍存在的漏电流大的技术问题，展开关于低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）的几项专利技术研究进展的分析，主要涉及多晶硅有源层的相关技术改进。

近年来，随着显示技术的迅速发展，尤其是液晶显示技术领域的发展，对薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)半导体有源层的电子迁移率要求要来越高。薄膜晶体管形成的阵列基板是显示装置的关键部件，TFT阵列基板向显示装置提供驱动电路及开关电路等，而其中TFT是阵列基板中至关重要的元件。由于非晶硅薄膜晶体管的漏电流较小，因此早期的液晶显示技术大多采用非晶硅薄膜晶体管，但是非晶硅薄膜晶体管普遍存在载流子迁移率低下的问题，这极大的影响了显示技术的发展。因此，急需研究一种可以改善载流子迁移率低下问题的薄膜晶体管器件。由于多晶硅薄膜晶体管（TFT）相较于非晶硅薄膜晶体管（TFT）具有功率损耗小、载流子迁移率大，且能够在较低温条件(如低于600℃)下制备而成、基底的选择很灵活、制作成本低等优势。低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Polysilicon Thin Film Transistor，LTPS TFT)应运而生，已被广泛地应用于中小型，高分辨率LCD和AMOLED显示板，包括电视及电脑、手机等电子产品在内的各种电子显示器中，成为显示技术领域的研究热点。

1 LTPS TFT目前存在的问题

多晶硅薄膜的形成通常是将非晶硅薄膜通过激光退火工艺进行再结晶后得到，评价LTPS TFT器件特性优劣的两个重要指标为开态电流以及漏电流，开态电流越大且漏电流越小则该LTPS TFT器件的性能越好。……