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基于GaN的图腾柱无桥PFC控制策略

2021-09-26郭明良朱壮壮邓孝祥

黑龙江科技大学学报 2021年5期
关键词:模态

郭明良, 朱壮壮, 邓孝祥

(黑龙江科技大学 电气与控制工程学院, 哈尔滨 150022)

0 引 言

在“碳达峰”、“碳中和”等国家层面的承诺中不难看出,未来的电源研发领域在高频高效领域有广阔的空间。图腾柱PFC拓扑以其组件数量少、共模干扰低、最低传导损耗、最高效率等优点在功率因数校正圈内备受关注。氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等第三代宽禁带半导体器件的出现,将制约图腾柱拓扑的第一大阻力二极管反向恢复问题迎刃而解,使图腾柱PFC在大功率场合的应用成为可能。功率等级的增加必然会带来传导损耗增大,因此,传统图腾柱无桥PFC拓扑中的二极管注定会被取代,业界最常见的解决方案是用导通电阻较小的MOSFET替代,但依旧无法解决开关损耗高带来的温升和过零点畸变等问题,系统高频化难以实现。针对这些问题,笔者提出了一种半周期高频半周期工频的控制策略,将传统图腾柱无桥PFC拓扑中的二极管用功率开关管替代,应用数字锁相技术在输入电压过零点处切换前后桥臂的频率等级,没有快慢桥臂之分。开关管在高频和工频模式下切换工作,有效解决器件的温升问题,电压过零点处工频高电平切换高频时脉冲由宽渐窄、工频低电平切换高频时由窄渐宽,高频向低频切换时类似,此种脉冲切换方式避免了占空比突变,过零点畸变问题得到有效解决。笔者研究图腾柱PFC工作于连续导电模式(CCM),分析电路的工作原理,理论分析电路控制算法及公式推导,对改进后的电路拓扑进行建模,通过搭建样机进行调试验证。……

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