张银婵，牛新环，周佳凯，杨程辉， 冯子璇，常津睿，侯子阳，朱烨博

(1.河北工业大学 电子信息工程学院，天津 300130；2.天津市电子材料与器件重点实验室，天津 300130)

随着集成电路(IC) 工艺的发展，器件尺寸逐渐缩小到分子和原子级。为了得到平坦化程度更高、缺陷更少的表面，化学机械抛光(CMP) 技术已逐渐成为半导体制造生产中最重要的技术之一[1-3]。CMP是一种结合化学反应和机械研磨的动态微加工技术，在此过程中，抛光液的化学作用起着非常重要的作用。抛光液通常由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂、络合剂以及缓蚀剂等添加剂组成[4]。抛光液中添加剂的选择会直接影响抛光的效果，对于同一种添加剂在不同材料的CMP中也可能发挥不同的作用。

如今，不同材料的CMP过程面临着各种难题，如：铜、钴CMP的去除速率不理想[5-6]；铝互连CMP发生的铝钴电偶腐蚀现象[7]；钌、钼等金属的过腐蚀现象等[8-9]。鉴于此，国内外诸多学者提出在CMP工艺中引入甘氨酸对于上述问题进行针对性的改善。本文首先介绍了甘氨酸的基本性质；其次综述了近年来甘氨酸在CMP领域的不同应用；最后展望了氨基酸类添加剂的应用前景。

1 甘氨酸的基本性质

甘氨酸(Glycine) 是内源性抗氧化剂还原性谷胱甘肽的组成氨基酸，又名氨基乙酸，其分子式为C2H5NO2，通常为白色晶体或结晶性粉末，易溶于水，微溶于乙醇与乙醚[10-11]。甘氨酸具有无污染和高性能的特性，是最常见同时结构也最简单的一种α氨基酸，具有很强的亲水性，但属于非极性氨基酸，溶于极性溶剂，而难溶于非极性溶剂[12-13]。……