周 飚 胡剑文 姚 胜 魏 伟 阮 武 张志国

（1.合肥产品质量监督检验研究院/国家家用电器产品质量监督检验中心（安徽）/安徽省电子电气产品电磁兼容测试分析中心 合肥 230088； 2.合肥联宝信息技术有限公司 合肥 231100）

引言

目前针对笔记本产品高速存储芯片的电磁辐射特性没有评价方法和标准，导致产品设计和芯片应用中的电磁干扰问题无法提前识别和快速解决问题进行研究。将会在芯片级电磁辐射测量方法、测量系统、测量工具、评价标准等技术上形成突破，并输出相应的研究和开发成果，最终为高速存储芯片相关企业提供电磁辐射特性的测试测量、质量检测、故障分析。从而确保在高速存储芯片领域电磁技术方向上走在全国前列，保障存储芯片的技术优势。推动高速存储芯片应用突破技术瓶颈，打破产业发展的束缚，支撑经济社会健康高速发展。

1 国内近场辐射概况

国内近场辐射的研究方向以前期理论研究为主导，逐步转变为技术应用推广，以理论联系实际，解决研发过程中电磁兼容方面突发的问题。国内近场辐射前期理论主要分四个阶段进行研究。

第一阶段：1950 ～1961年，以无探头补偿的近场测量理论和实验为主；

第二阶段：1961 ～1975年，以考虑探头补偿的近场测量理论为主；

第三阶段：1965 ～1975年，以考虑探头补偿的近场测量理论的实践验证为主；

第四阶段：1975 至今，以技术应用推广为主。

无论是对于近场辐射测量还是近场散射测量，由于平面扫描的数据采集方式最为简便，机械上便于实现，而且近远场变换可以利用快速傅里叶变换作为高效计算，因此平面近场测量技术是近场测量技术中研究最早、应用最多的测量方法。……