不久前三星先于台积电实现3nm成功流片（试生产），甚至进一步透露消息，预计在2022年年终便可能实现3nm的量产，这无疑引起了整个半导体行业的关注。3nm对整个行业而言，是一个极为敏感的技术节点，一方面，这一技术制程已经非常接近硅基芯片的极限，另—方面，当前各大厂商均将这一制程作为树立技术优势的关键点。所以三星流片成功之时，迫不及待地宣布自家3nm制程的GAA架构性能优于台积电的3nmFinFET架构。

其实我们都知道，流片时性能参数呈现出的优势并不稳固，还需要看量产时的良品率等重要因素，事实上，对三星而言，3nm量产也是前所未有的挑战，即使公布了2030年171亿韩元的投资计划，如果在3nm上跌了跟头，将会对韩国整个半导体行业产生巨大的影响。所以，我们不妨借3星流片话题卿卯当前3nm的进程，借他山之石，攻己之玉。

从4nm到3nm

在科技战、疫情时代引发的“全球缺芯”大背景下，芯片领域博弈始终保持着极高的热度。无论是产能的消长，还是先进制程的优势争夺，都将对整个半导体产业的发展带来深远的影响。以制程而论，如今已是5nm占据主流的时代，那么接下来的“百尺竿头更进一步”—4nm制程甚至3nm制程，谁能首先占据技术制高点，谁就能在下一轮竞争当中拔得头筹。

因为这一内在原因，该领域的几个大佬一直处于钩心斗角争抢C位的状态之中。今年3月的IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，三星发布了首款3nm芯片，不但时间上拔得头筹，技术上也采用了比竞争对手台积电FinFET（鳍式场效应架构）更为先进、能效更占优势的GAAFET（全栅场效应晶体管架构）。……