基于全波法的甚低频波对低电离层扰动分析
2021-09-02孙佳欣彭怀云李清亮
孙佳欣 彭怀云 李清亮
(中国电波传播研究所 电波环境特性及模化技术重点实验室,青岛 266107)
引 言
低电离层(60~120 km高度)是甚低频(very low frequency, VLF)电磁波地-电离层波导传播模型的上边界[1],其电子浓度、电子温度、碰撞频率等参量的分布、扰动变化是影响VLF远距离通信效能、导航定位精度的重要因素[2]. 因此,低电离层参量的分布和扰动特性研究是VLF电波传播研究的重要方向之一.
1990年,Inan[3]分析了南极Palmer站接收的NAA台VLF传播数据,发现该VLF信号幅度被NAU台发射的VLF信号调制,实验证实了VLF波能显著改变低电离层电子温度和浓度的理论预言.Inan等人[4]、Rodriguez等人[5]分析了NSS、NAU、NAA三个VLF台发射的强VLF电磁波对夜间低电离层电子温度和电子密度的影响,发现在70~90 km高度电子温度升高2.5倍,电子密度下降26%. 1997年,刘立波等人[6]在Rodriguez的基础上,分析了电离层中氧气、氮气密度等背景参量对电子温度、浓度扰动的影响,发现中性大气数密度越低或温度越高,电子参数变化越大. 2007年,Peter等人[7]分析了闪电激发的VLF电波对电子密度的扰动,发现85 km处D层电子密度提高了约15%. 2013年,Graf等人[8]计算了VLF波引起的低电离层扰动范围和跨低电离层衰减的估计值. 2017年,冯阳[9]推导了全波分析法下的VLF波传播模型,并对不同辐射源参数、地磁场参数、电离层参数下的VLF波传输特性进行了分析.但他研究的重点是电离层中的VLF波传播情况,并没有对VLF波引起的电离层扰动情况进行分析.2018年,ATICI等人[10]利用Glukhov-Pasko-Inan电离层化学经验模型计算了雷电激发的VLF电磁波对低电离层电子密……
