夏维涛

（省部共建煤炭高效利用与绿色化工国家重点实验室，宁夏大学，宁夏 银川750021）

0 引言

氧化物禁带宽度一般大于3.1eV，所以是可见光透明，这是由于金属离子和氧离子的化学键中强烈的离子性造成的，然而离子性的本质又增强了载流子电子或空穴的局域性，因而一般是不导电的。氧化物同时具有透明和导电是通过氧空位或离子掺杂来实现的。对于n-型透明导电氧化物（TCOs），二元氧化物主要包括掺杂的ITO（In2O3：Sn）[1]、ZAO（ZnO：Al）2]和FTO（SnO2：F）[3]等，对三元氧化物也进行研究，主要包括，ZnO ·SnO2、ZnO ·In2O3、CdSb2O6、Mgln2O4、In4SnO12、Zn2In2O5、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4和GaInO3[4]等 透 明导电氧化物（TCOs）。C12A7（12CaO·7Al2O3）导电薄膜是一种新型n-型透明导电氧化物（TCOs），它是利用带正电亚纳米孔和带负电的可移动的自由氧离子的特征，合成的透明导电氧化物（TCOs）[5]。对于p-型透明导电氧化物（TCOs）存在的研究较少，1997年发现了p-型透明导电氧化物（TCOs），即CuAlO2[6]。随后便开始了研发p-型透明导电氧化物的热潮，开发出了，CuMO2（M=In，Ga，Sc，Cr，Y，Ag）[7]、SrCu2O2[8]、ZnRh2O4[9]和LaCuOCh（Ch=S，Se）[10]等p-型透明导电氧化物。无定型透明导电氧化物（a-TCOs），由于氧化物离子性较强，所以一般很难形成无定形透明导电氧化物（a-TCOs），所以开发出来的较少，主要包括a-IGZO（In-Ga-Zn-O）[11]、a-CdO·GeO2[12]和a-ZnRh2O4[13]等，其中a-IGZO和a-CdO·GeO2是无定形n-型透明导电薄膜，a-ZnRh2O4是一个无定型p-型透明导电薄膜。由于开发出来了p-型透明导电氧化物，使得合成全氧化物透明二极管有了可能，合成的透明氧化物二极管有，p-SrCu2O2/n-ZnO[14]、p-ZnRh2O4/n-ZnO[15]和p-CuInO2：Ca/n-CuInO2：Sn[16]，实现了紫外发光。透明氧化物薄膜晶体管（TTFTs）的制作用传统的氧化物作为有源层材料， 比如，SnO2和ZnO，[17，18]它们合成的TTFT一般开关电流比低，场效应移动率不是太高，所以限制的实际的应用。……