鄢红军

摘 要：以往清洗光掩膜时采用的清洗技术用到了浓硫酸、SC-1等溶剂，会在一定程度上导致硫酸根以及铵根离子残留在膜表面。随着微影技术时代的到来，光掩膜在使用一段时间后，能够从残留的离子中析出部分硫酸盐晶体，被业界称为光掩膜“Haze”。受到大量结晶的影响，光掩膜的穿透率会降低，无法保持薄膜晶体管（TFT）的完整性，进而对TFT生产厂家造成极大的影响。因此，在实际生产阶段，采用新兴的臭氧水与深紫外曝光清洗技术，取代以往的硫酸清洗技术，并以批量生产为基础，优化相关工艺、设备的设计以及日常维护程序，以供参考。

关键词：光掩膜;清洗技术;结晶生长;深紫外光照射

光掩膜的概念比薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）简单，层次较少，工艺步骤也较为简单，主要特征较为明显。然而，掩膜的光学补偿（Optical Compensation，OPC）特征等同于印刷階段的TFT尺寸特征。如果单个TFT产生了缺陷，就会对相应的图形显示造成影响。然而，如果单个掩膜产生了缺陷，所有的图形显示就会受到影响。采用光学技术对掩膜缺陷进行检测，掩膜上只要产生光波动，就会导致缺陷被忽略。所以，本研究阐述了掩膜存在的缺陷以及检测方法和消除方法。

1 光掩膜的缺陷

光掩膜的缺陷可以分为软、硬两种。硬缺陷通常需要采用检查设备进行图形检测，以掩膜为基础，对比图形、设计数据库或其他表面同一图形。此类缺陷通常能够被修复，需要采用各种化学物质对其局部进行激发，或采用相关技术进行加工，添加缺失的材料或去除不必要的物质。……