谢 迪，李 浩，王从香，崔 凯，胡永芳

（南京电子技术研究所，南京 210039）

1 引言

三维集成封装以其优异的综合性能满足了先进封装市场对电子封装产品微型化、高度集成化、多功能化的迫切发展需求，三维集成封装近年来成为先进封装的主要发展方向。大多数三维集成采用硅作为衬底，近年来美国佐治亚理工大学等研究机构采用玻璃作为衬底实现三维集成，基于玻璃通孔制造的三维互连（Through Glass Via，TGV）技术[1]由于其高密度互连和低损耗传输特性的优势使三维集成和系统级封装技术得到了迅速发展，通过采用TGV技术，利用新设计、新器件以及新工艺可以构建小型化、一体化的三维射频微系统，在I/O密度更高、节距更小的芯片与基板之间形成高可靠的互连，实现片上无源器件、高密度铜互连及芯片的异构集成。

玻璃基板材料中没有自由移动的电荷，介电性能优良，高频损耗低、传输特性好，适用于高频应用，TGV技术无需制作绝缘层，降低了工艺复杂度和加工成本，玻璃基板及TGV相关技术在光通信、射频、微波、微机电系统、微流体器件和三维集成领域有着广泛的应用前景[2]。然而，TGV工艺中的玻璃基板高精度打孔技术、减薄抛光工艺、RDL金属层/介质层多层布线等关键技术是TGV技术工程化的基础。基于此，本文针对高纯石英玻璃基板，设计合理工艺流程，制备了不同孔径的通孔结构，孔径范围30～190μm，深宽比范围1.6∶1～10∶1，在深宽比不超过6∶1的情况下，TGV孔金属化良好，通过三维封装基板电性能测试，对TGV基板垂直互连进行了验证。……