＊吕明 赵瑞欢

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引言

随着电子工业的迅速发展，导体浆料广泛应用于厚膜集成电路、电阻器、MLCC、太阳能电池电极、OLED、印刷高分辨率导电体、薄膜开关、柔性电路等领域。金属银以其较高的电导率、优异的物理化学性能和可接受的价格，使得导电银浆在成千种电子浆料产品中占据了无可替代的地位。为了提高电子产品的竞争力，基础材料导电银浆的高可靠性、低成本化成为了行业共同的追求。目前导电银浆中的导电相主要是微米或亚微米银粉，为了提高导电银浆的性能，满足更广阔的应用需求，近年来，国内外正在开展导电浆料贵金属纳米化的研究，并已形成一定程度的产业化。在某些情况下，纳米银浆料表现出极大的电阻率和不导电行为，这增大的电阻率实际上是由于增加的表面接触面积的缘故，而纳米粒子的接触点要远远多于微米粒子的接触点。在采用纳米银粉制备导电银浆时，为了减少导电银膜的电阻率，有效的方式是降低填充颗粒间的接触点数，所以我们并非在导电银浆中全部采用纳米银颗粒，而是给微米银浆中掺杂适量纳米银粉，讨论在粉末颗粒最紧密堆积理论Dinger-Funk方程的基础上研究不同粒径银粉级配及不同形貌银粉搭配对导电银浆方阻的影响，制得性能优良的导电银浆。

1.实验

(1)导电银浆的制备

本实验采用纳米球状银粉、微米球状银粉、片状银粉、有机载体，混合辊轧多遍得到所需的导电银浆。……