邹 冰，张越强

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳 110000）

1 引言

集成电路行业当前在我国有着良好的发展势头，对于满足现代社会与经济发展需求意义重大，然而芯片失效问题却时有发生，是一直值得被关注的重点问题。一般来说，技术人员在分析集成电路芯片失效时需要借助各种技术，去层技术便是其中一项重要手段。目前干法去层法和湿法去层法是去层技术的两大类别。二者均是为了保留所需的薄膜层次同时去除不需要的薄膜层次，只是实现方法不同。其中湿法去层法的操作是通过准备所需的化学溶液，利用溶液与薄膜层次发生化学反应来达到保留所需薄膜层次的目的。该方法比起干法去层法更具有优点，主要在于操作简单且不需要高配置的昂贵设备，同时效率较高，因而总成本较低。为力求在湿法去层时尽量去净不需要的薄膜层、达到尽可能完善的效果，在此对芯片湿法去层法在芯片不同结构面上的应用进行分析和探讨。

2 芯片结构

集成电路芯片本质上是一种功能电路，它是对Si衬底片的外延通过局部掺杂与图形刻蚀等手段，形成实现特定电学功能的半导体器件结构，最终由金属化层实现连接[1]。以常见的CMOS电路剖面结构为例，按从上到下的顺序，最上层是钝化层，主要是由硼磷硅玻璃或二氧化硅、氮化硅等物质构成；钝化层下是金属层，一般由铝构成，完成电路的布线互联；金属层下方为层间介质层，多为磷硅玻璃或二氧化硅；……