卫静婷 黎斌

（广东开放大学（广东理工职业学院）工程技术学院 广东省广州市 510091）

1 引言

发光二极管（LED）作为第四代照明光源，具有环保、节能、寿命长、可工作在恶劣环境等优点，已被广泛应用在室内外照明、装饰灯、显示屏、汽车照明等领域[1-2]。在照明领域中使用的大功率LED 的芯片尺寸较大，驱动电流较大，从而导致发光效率跌落现象（efficiency droop），造成这种现象的具体原因还有待商榷。但芯片尺寸过大造成芯片内电流扩展不均匀已经得到了各国研究学者的首肯，并进行了相应的研究[3-5]。同时，传统的大功率LED 芯片所需电源电压低，在实现电源转换的驱动电路中需要使用到AC/DC 转换电路等，耗能大。因此有学者提出了芯片级直流高压LEDs的概念：在一块大功率LED 尺寸大小的芯片上隔离出多个尺寸较小的LED 芯粒，再通过电极桥接的方式将这些LED 芯粒串联起来，就构成了芯片级高压LEDs[6-8]。高压LEDs 与传统大功率LED相比，具有简化电源匹配、降低电压转换的能耗、芯粒内的电流扩展更均匀等优点[9]。高压LEDs 在制备过程中，需要先将单颗LED芯片通过感应耦合等离子（ICP）刻蚀工艺隔离成多个LED 芯粒，LED 芯粒之间的电极桥接工艺就成为了影响高压LEDs 性能的关键因素。本文通过改变电极桥的制备工艺，制备出了两种高压LEDs样品，一种采用传统的方式，先在LED 芯粒的侧壁制备绝缘层，然后将金属电极桥覆盖在绝缘层上实现LED 芯粒之间的串联，此高压LEDs 样品被记为C-HVLEDs；另外一种采用空气桥的方式，将金属电极像桥一样跨接在两个LED 芯粒之间实现它们的串联，且LED 芯粒之间的隔离槽内没有填充物，此高压LEDs 样品被记为A-HVLEDs。……