班雪峰，王翠鸾，刘素平，马骁宇

(1． 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心，北京 100083；2． 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049 )

1 引 言

大功率半导体激光器主要用于固体激光器(DPSSL)、光纤激光器和放大器的泵浦[1-3]，而808 nm半导体激光器可以高效且理想地泵浦Nd∶YAG固体激光器。但固体激光器中的掺杂离子Nd3+的吸收峰很窄[4]，一般只有几个纳米左右，而半导体激光器的激射波长会因为工作温度的升高和工作电流的增大而变长，这必定会对整个系统的泵浦效率产生不利影响。所以，用作泵浦源的大功率半导体激光器不但要具有高输出功率和效率，而且还要具备窄输出线宽和良好的波长稳定性。目前减小半导体激光器的中心波长随工作温度和电流变化的漂移系数的方法有两种：一种是半导体激光器外部波长稳定方法，另一种是内部波长稳定方法。半导体激光器外部波长稳定是通过使用一些波长锁定设备或者光反馈回路的校准器，从而达到半导体激光器激射中心波长随工作温度和电流变化的漂移系数减小的效果。有三种具体实现方法：光纤光栅[5]、体布拉格光栅[6]和闪耀光栅[7]。虽然外部波长稳定方法具有热稳定性好、高损伤阈值和线性传输等优点，但是大尺寸的外腔和高昂的费用无法满足各种环境下的应用，在运输和使用过程中难免会产生振动，影响系统的准直性，而且其优点都是通过耦合过程中损失半导体激光器的效率得到的。……