王文月，牛萍娟

（1.天津工业大学 电气工程与自动化学院，天津300000；2.天津工业大学 电子与信息工程学院，天津300000）

近些年，随着电力电子技术的发展，航空、电动汽车、新能源发电及石油钻井等领域对电力电子变换器提出更高的要求，即实现高压、高频、高功率密度[1]。因此以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体器件因其高开关速度、高开关频率及高热导率等[2-5]，受到人们广泛关注。然而随着SiC MOSFET开关频率及速度提高，电力电子变换器受电路中寄生参数影响加剧，关断瞬态电压尖峰更为严重。瞬态电压的尖峰不仅危及开关管的安全，也会降低电力电子变换器的功率密度，加剧电力电子变换器电磁干扰[6-8]。目前现有抑制电压尖峰方法大多牺牲了开关速度，从而影响SiC MOSFET开关损耗及变换器效率等。因此，本文在分析电压尖峰产生原理基础上，在注入栅极电流抑制电压尖峰前提下，提出了一种在栅源极增加有源箝位电路的改进驱动方法，改进后的驱动电路具有抑制尖峰效果好、开关损耗较小、控制方法简单特点。本文首先分析瞬态电压尖峰产生原理，其次分析了改进驱动电路工作原理，最后在双脉冲测试平台验证了该改进驱动电路的实用性。

1 SiC MOSFET瞬态电压尖峰产生原理

为了分析SiC MOSFET瞬态电压尖峰产生原理，采用如图1所示测试电路，图中：Vdc直流母线电压，R驱动电阻，C支撑电容，L负载电感，SiC MOSFET及SiC二极管D1，考虑SiC MOSFET关键寄生参数为：栅极驱动电阻R1，栅极引脚封装电感Lg，源极引脚封装电感Ls，漏极引脚封装电感Ld。……