单管逆变拓扑结构感应加热电源IGBT 保护系统研究
2021-06-05管兴勇沈海兵
管兴勇,李 敬,沈海兵
(杭州老板电器股份有限公司电控部,杭州 311000)
电磁感应加热在工业、商业、民用领域都已成为一种主流技术,根据电路拓扑和负载结构,其逆变系统可分为:全桥并联逆变[1]、全桥串联逆变[2]、半桥串联逆变[3]和单管并联逆变[4]。其中,单管并联逆变拓扑结构感应加热系统只有一个IGBT,而IGBT 驱动无需隔离,电路简单,整机成本低,维护简单。该电路已普遍应用于商用和家用产品,如电磁灶、IH 饭煲等,单管逆变系统已广泛应用在功率小于8 kW 的中小功率工业热处理、炒茶机等工业领域。
1 单管并联逆变拓扑结构感应加热系统准谐振电路
单管逆变拓扑结构感应加热系统准谐振系统回路的等效电路如图1 所示。

图1 准谐振回路等效电路Fig.1 Equivalent circuit of quasi-resonant loop
理想条件下工作波形如图2 所示。工作过程可以分为如图3 所示的4 个状态:t0~t1时段,IGBT 导通,系统从电源吸收能量,线盘电感L 储能阶段;t1~t2时段,LC 谐振状态,包含正向和反向振荡2 种状态(t1~t1a时段和t1a~t2时段);t2~t3时段,线盘电感L向直流端udc回馈能量阶段。

图2 理想条件工作波形Fig.2 Working waveforms in ideal condition

图3 各阶段电流走向Fig.3 Direction of current at every stage
(1)t0~t1时段:电源向系统输出能量,电感L 储能[5]阶段:电流经L、R 支路,流过IGBT 的电流is与流过L 的电流iL相等,iL按照指数规律单调增加。在iL流过R 的过程中形成了功率输出,流过线盘电感L 的过程中储存了能量。到达t1时刻时,IGBT关断,iL达到最大值。
(2)t1~t2时段:LC 谐振[6]阶段,MCU 控制IGBT关断之后,uC和iL呈现衰减的正弦振荡,部分能量在振荡过程中消耗在电阻R 上,即被加热金属产生涡流,吸收能量被加热。……
