董汝昆，吴绍华，王 柯，尹国良，史娜娜，姚 杨，郭晨宇

〈综述与评论〉

锗单晶材料的发展现状

董汝昆，吴绍华，王 柯，尹国良，史娜娜，姚 杨，郭晨宇

（云南北方驰宏光电有限公司，云南 昆明 650223）

锗因其资源稀缺、优异的光学和物理性能，广泛应用于光纤系统、红外光学系统、电子和太阳能应用、探测器等高科技领域，是战略性产业所需的重要功能材料和结构材料。简单介绍了目前国内锗单晶生长的两种主要方法：直拉法（Czochralski，CZ）和垂直梯度凝固法（vertical gradient freeze，VGF）。对国内和国外知名锗材料生产企业的锗单晶生长方法、直径、电阻率等相关技术参数，进行了统计和比较。针对不同的单晶材料性能，分析了红外光学用锗单晶、太阳能电池用锗单晶和高纯锗单晶的应用领域和发展现状。

锗；锗单晶；直拉法；垂直梯度凝固法

0 引言

锗（Ge）是一种银灰色的脆性金属，在地壳中的含量约为百万分之七。1886年，德国化学家克莱门斯·温克勒在分析硫银锗时发现了这种物质。作为一种典型的稀有分散金属元素和重要的不可再生战略稀缺资源，在光纤通信、航天、红外光学、化学催化、新能源、半导体材料等领域得到了广泛的应用[1-2]。

相比世界上的大多数国家，我国锗矿资源相对丰富，截至2008年底，已查明的锗资源主要散布于12个省，其中广东、云南、内蒙古、吉林、山西、广西、贵州、江西等8个省/自治区储量最大，占全国锗资源总量的96%左右。锗由于其亲硫、亲铁和亲有机的化学性质，难以独立成矿，通常情况下，它以分散的状态分布在由其他元素组成的矿物中，成为多金属矿床的伴生组分。……