基于LTCC 工艺的低通滤波器设计与实现*
2021-05-21博肖宝玉
张 博肖宝玉
(西安邮电大学电子工程学院,陕西西安 710121)
随着无线通信行业迅猛发展,射频器件在系统中占据更重要的地位。而滤波器作为射频元件中不可或缺的组成部分,在实现小型化、高性能、集成度高等方面已然成为行业研究的热点与难点,而目前基于低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)工艺设计的滤波器为以上的研究提供了很好的方向。
基于LTCC 工艺设计的滤波器能够很好的实现小型化和高性能,并且采用不同的结构来实现。例如在2018 年[1]中电感采用立体螺旋型(Helical)电感,电容采用垂直叉指电容(VIC)来获得小型化滤波器[1];2019 年[2]中电感采用5 层3D 螺旋结构,电容则采用传统的(Metal-Insulator-Metal,MIM)式结构来获得较大的等效值和Q值[2];在2019 年[3]中电感的设计采用垂直螺旋电感和平面螺旋电感2 种形式,电容采用MIM 结构以实现小型化、高性能滤波器[3]。
应滤波器小型化、高性能的发展趋势,结合微波滤波器理论并使用ADS、HFSS 进行联合仿真,设计出具有高Q值的电容电感,并结合原理图进行合理布局,设计了一款DC-500 MHz 的低通滤波器.
1 低通滤波器电路设计
根据低通滤波器的设计指标,选择5 阶等波纹0.1 dB 的切比雪夫滤波器,其滤波器低通原理图如图1 所示,其中的电容电感元件值的相关公式如下所示[4]:


在ADS 中使用Q值模型,其中电容电感的Q值分别设置为150,50。优化得到C1=C3=6.63 pF,C2=12.25 pF,L1=L2=21.76 nH。仿真结果如图2 所示。

图1 DC-500 MHz 低通滤波器原理图

图2 低通滤波器ADS 仿真结果
由图2 可知,在500 MHz 内插入损耗在0.8 dB,通带内回波损耗优于-18 dB,在1 000 MHz 处,带外抑制达到-30 dB,1 500 MHz 处带外抑制有-50 dB。……
