叶志军， 谭锴佳， 于旺， 林晓明， 罗继亮， 胡特

(1.华侨大学 信息科学与工程学院，福建 厦门 361021；2.国网株洲供电公司，湖南 株洲 412000；3.湖南联众科技有限公司，湖南 娄底 417000)

0 引 言

高频变压器(high frequency transformer，HFT)，通常是指通过电力电子技术和高频磁链技术实现输入与输出电气隔离和电能变换的小型变压器[1]。由于跟传统变压器相比较，HFT具有频率高、体积小、重量轻和功率密度高等特点，因此其广泛应用于电源和电力电子变压器当中，并在新能源发电和电动汽车等新兴领域具有广阔的应用前景[2,3]。

但是，随着工作频率的提高，HFT寄生参数的影响不容忽视，漏感与分布电容之间形成回路向外辐射能量形成电磁干扰[4-5]。高频工作条件下为了减小开关损耗和噪声，需要利用HFT的漏感作为谐振电路的电感实现软开关[6]。但是漏感非常小将无法实现软开关，漏感太大会导致开关管在关断瞬间承受很大的反向电动势，造成开关管损坏[7]。因此在HFT设计阶段准确而快速的计算HFT漏感参数对HFT乃至于整个变换器来说都是至关重要的[8]。

然而，传统算法没有考虑漏磁分布的频变特性，认为绕组区域的磁场呈简单的线性变化，因此传统方法计算误偏大，难以满足设计要求[9-10]。针对这一问题，文献[11]Dowell推导了高频损耗的计算公式，并通过绕组阻抗公式虚部得到了漏感参数的解析模型，但当绕组孔隙率小于0.7时计算误差较大。文献[12]和[13]基于Dowell公式分别将绕组区域的漏磁能量分为3区和5区，然后推导了单层和多层HFT漏感精确计算公式，计算精度较高但推导过程繁琐。……