吴清洋

摘 要：颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷，会对后续光刻对位造成影响，甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中，颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积（LPCVD）工艺中，Si3N4工艺的颗粒污染问题最难控制。为了降低氮化硅薄膜制程中的颗粒污染，主要从LPCVD氮化硅薄膜生产设备出发，深入研究和探讨各环节可能存在的微粒污染问题，为低颗粒污染生产提供依据。

关键词：LPCVD;氮化硅;颗粒污染

在集成电路的生产制造过程中，总会不可避免地产生颗粒、金属离子、有机残余物、自然氧化层、静电释放（Electro Static Discharge，ESD）、微生物、气体杂质等污染物，这些污染物会在芯片生产过程中形成缺陷[1-2]。一般情况下，当混入的污染物数量较少时，不会对电路产生较大影响。但随着污染物数量的增多，电路会出现不同程度的断路、短路、漏电、电性漂移等情况，甚至会导致整个芯片报废，给生产公司造成巨大的经济损失。对产品失效原因进行分析，发现污染物引起的失效占总失效因素的60%，因此，在集成电路工艺生产过程中需特别注意各环节可能引入的污染物。在各种污染物中，颗粒污染是集成电路制造过程中最常见、也是对产品良率影响最大的一种。例如一小根毛发落在导线上，就会导致导线短路，甚至使整个器件失效[3-4]。

低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD）氮化硅薄膜是利用炉管工艺设备制成的，因此，设备的基本结构和技术参数对Si3N4生产过程中的颗粒污染控制起主要作用。……