赵 磊，谈 阳，章 强，邢园园，张晓渝

(苏州科技大学 江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室，物理科学与技术学院，江苏 苏州 215009)

0 引 言

太赫兹(THz)波是指频率在0.1～10 THz(波长为3 000～30 μm)范围内的电磁波，在长波段与毫米波相重合，在短波段与红外光相重合，是宏观经典理论向微观量子理论发展的过渡区，也是电子学和光子学的过渡区，称为电磁波谱的“太赫兹空隙(THz gap)”[1]。当今，随着5G通讯技术以及电子元器件的高频化和小型化的发展，研究者们开始将目光聚焦在太赫兹波段薄膜材料的研究上。现在，调控太赫兹无源器件的方式有通过温度对太赫兹器件进行调控[2-4]，但这种调制方式受调控速度的限制。通过外磁场对光子晶体带隙和超材料结构等太赫兹器件调控研究[5-9]，而使用的材料通常需要1 T以上外磁场进行调制，通过光激励等方式对太赫兹器件进行调控[10]。近期研究报道了用20 MV/m电场和1 ps周期的太赫兹场驱动磁动力学，研究了自旋进动和超快退磁化的效应[11]。本文在已有太赫兹器件研究的基础上[12-15]，制备了具有高磁导率，低矫顽力的FeNHf软磁薄膜，通过调控磁化强度方向来调控FeNHf薄膜的太赫兹波传输特性，研究FeNHf薄膜的太赫兹波响应机理，为进一步发展太赫兹波无源器件探索新的调制途径。

1 实 验

1.1 FeNHf薄膜样品的制备

本文采用高真空射频磁控溅射制备FeNHf薄膜，在电场作用下，电子与Ar原子和N原子碰撞发生电离产生Ar离子、N离子和新电子，接着Ar离子在电场的持续作用下，轰击Fe靶以及Hf金属片，溅射产生Fe原子以及Hf原子并与N离子反应，从而沉积在基片上形成薄膜。……