任 洋，贺海燕，赵高扬，王允威，3

(1. 西安理工大学 现代分析测试中心，西安 710048；2. 西安理工大学 材料科学与工程学院， 西安 710048；3. 攀枝花学院 生物与化学工程学院 钒钛资源综合利用四川省重点实验室，四川 攀枝花 617000)

0 引 言

锡掺杂氧化铟(In2O3：Sn，简称ITO)是一种重掺杂的宽禁带n型半导体材料，具有较高的可见光透过率和优良的导电性[1-2]，常作为透明电极应用于半导体微电子领域，如太阳能电池、透明晶体管等微型器件[3-4]。图案化是半导体微电子领域常用的器件制造工序。微型器件质量、功能等受限于图案化制备技术。当前，ITO薄膜已经实现了商业化大批量生产，可ITO薄膜大面积图案化的问题一直没有解决。现今多采用离子束刻蚀法图案化ITO薄膜。该方法刻蚀线条很细，可达纳米级，但刻蚀缓慢，不适合对薄膜进行大面积刻蚀。而氧化铟的化学性质较为稳定，常规的湿法刻蚀也不适用。

近几年来，赵等人[5-10]开发了一种紫外感光溶胶凝胶法制备图案化氧化物薄膜。该方法对目标产物的出发原料进行化学修饰，得到一种含有目标产物金属元素的有机螯合物，利用这种螯合物的紫外感光特性以及感光前后螯合物在有机溶液中发生的溶解度的变化，通过溶胶凝胶制备凝胶膜、加载掩模板对凝胶膜选择性曝光、显影、热分解螯合产物等工序，获得具有图案化的氧化物薄膜。因曝光和显影不受薄膜面积限制，该方法可以实现大面积图案化制膜。

因此，本文采用紫外感光溶胶凝胶技术制备图案化ITO薄膜。……