袁斌霞，方欣怡，蔡晓东，王道累，朱 瑞，曹 盛,刘建峰

(1. 上海电力大学 能源与机械工程学院，上海 200090；2. 广西大学 广西有色金属及特色材料加工重点实验室，南宁 530004)

0 引 言

半导体纳米晶体(NCs)，也称为胶体量子点(QDs)，具有独特的尺寸依赖性，由于其在发光二极管(LEDs)、激光器、生物医学成像和传感器等领域的广泛应用而引起了人们的极大兴趣。目前，CdSe NCs作为一种主力已经得到了很好的发展。CdSe NCs具有发射量子产率高、发射线宽窄、光稳定性好等优点，但由于其固有的毒性，使其在环境中受到限制，因此在实际应用中前景不好。InP是理想的替代材料，具有类似的发射波长范围，但不具有内在毒性。先前的研究已经证明InP NCs可以很好地应用于白光LEDs以改善其显色指数(CRI)。例如，Nann等人[1]报道了一种固态白色发光二极管，其CRI值高达86，其方法是将InP/ZnS NCs和黄绿色荧光粉一起掺杂。然而，这些InP NCs的性能还存在一些关键问题。其中，它们的色纯度和发射光谱可调性远不如发展成熟的CdSe NCs，这是由于铟配体具有较强的配位强度，这些InP NCs的劣化性能来源于苛刻的反应控制。报道的典型InP NCs(50～80 nm)的发射线宽比CdSe(15～40 nm)宽，这导致了与CdSe相比，InP的颜色纯度更差。

因此，InP量子点作为最佳替代CdSe 量子点的材料之一，对其光、电性能进行系统深入研究具有重要的意义。另外，由于近年来通过金属离子掺杂改善量子点的光、电性能逐渐成为量子点研究的热点之一，而基于InP量子点的掺杂合成以及光、电学性能的研究还较少。本论文选择InP作为研究基材，综述新型InP量子点的几种不同合成方法，合成金属离子掺杂和无机宽带隙壳材料包覆InP量子点，探索掺杂和表面包覆对InP量子点的性能的影响。……