近日，国务院国资委向全社会发布《中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）》，包括核心电子元器件、关键零部件、分析测试仪器和高端装备等共计8个领域、178项科技创新成果。全球能源互联网研究院有限公司（以下简称联研院）研制的3300伏特（V）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片和模块赫然在列。历时4年，联研院攻关团队突破了制约国内高压IGBT发展坚固性差、可靠性低等技术瓶颈，打破了国外技术垄断。

日前，该团队牵头承担的国家重点研发计划项目“柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用”通过了工业和信息化部组织开展的综合绩效评价。项目自主研制出满足柔性直流输电装备需求的4500V/3000A低通态压降和3300V/3000A高关断能力IGBT器件，解决了高压大容量压接型IGBT芯片和器件缺乏的问题。

“当前，研发面向电力系统应用的高压IGBT器件的技术瓶颈主要有4个方面，一是高压芯片用高电阻率衬底材料制备技术，大尺寸晶圆的掺杂均匀性和稳定性难以满足高压IGBT和FRD芯片开发需求；二是高压芯片关键工艺能力不足，提升芯片性能的高端工艺加工能力欠缺，无法满足电力系统用高压IGBT芯片的加工需求；三是封装设计体系和工艺能力难以满足高压器件封装需求，尤其是压接型器件封装，在封装绝缘体系、多芯片并联均流和压力均衡控制方面研究不足；四是高压IGBT器件的整体可靠性和坚固性与国外先进水平相比存在差距，未经电力系统装备和工程长期应用的考核验证。……