德州职业技术学院 施秉旭

氮化硅具有良好的介电特性（介电常数低、损耗低）、高绝缘性，高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力。PECVD法工艺复杂，沉积过程的控制因素较多，沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响。在PECVD淀积过程中必须对多个参数进行控制，因此，优化沉积条件是十分重要的。

氧化硅薄膜通常采用PVD和CVD技术来制备。目前，在PECVD系统中，通过反应，获得了氧化硅薄膜。薄膜的沉积是在具有等离子体热系统中进行的，液体源经固定温度加热后，通过管道系统进入沉积室。

1 PECVD氮化硅薄膜制备准备

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种通过射频使一定组成的气态物质部分发生电离形成等离子体，促进化学反应，沉积成薄膜材料的一种技术。由于该技术是通过高频电磁感应与气体分子的共价键产生耦合共振，使其电离，显著降低反应所需温度，增加反应速率，提高成膜质量。该方法具有设备简单，衬底与薄膜结合性好，成膜的均匀性和重复性好等特点。同时，较低的沉积温度有利于实现更小的畸变、更佳的沉积及更快的沉积速率。PECVD制备的氮化硅薄膜具有强度高、硬度高、介电常数大、折射率可调、透射率高、光衰减系数小和化学稳定性好等特点，广泛应用于光学、光电子、微电子、MEMS等领域。薄膜的制备方法主要有物理淀积与化学淀积两类。利用化学反应的生长方法称化学淀积法，它分化学液相淀积与化学气相淀积两类。……