钟英辉， 弓巧侠， 李梦珂， 马刘红， 段智勇

(郑州大学 物理学院，河南 郑州450001)

0 引言

随着全球信息化进程加快，集成电路发展规模已成为衡量国家产业竞争力和综合国力的重要标志。近年来，中美贸易摩擦为我国带来深刻启示，关乎国家经济发展和国防安全的核心技术必须掌握在自己手里，集成电路基础研究、行业发展和专业人才培养受到了国家和各级政府高度重视。半导体器件作为集成电路核心基础技术，是衔接半导体材料和集成电路的桥梁，相关知识势必成为电子技术人才培养重点基础内容。

“半导体器件物理”课程主要讲授对象包括：PN结二极管、双极晶体管(BJT)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等，内容涉及半导体器件的基本结构、工作原理、电学特性和影响器件参数的因素等。课程教学目的是让学生从理论和实际方面理解集成电路半导体器件，为集成电路工艺和设计打下理论基础。

半导体器件物理课程涵盖知识点众多、物理概念抽象、公式推导繁琐，是理论性和实践性并重的课程，同时还需结合前沿发展动态。课程教学效果与学生的知识结构、就业、未来发展方向紧密相关，因此结合专业基础、时代发展进行教学改革，为国家微电子行业培养应用型、创新型人才，具有重要意义。

1 “半导体器件物理”教学面临的问题

在危机中育新机，在变局中开新局。目前，高水平半导体专业人才的缺乏是限制微电子行业发展的瓶颈，针对高校育人为本的办学宗旨，为国家和社会培养优秀的微电子专业人才迫在眉睫。……