2019年是极紫外 （EUV）光刻技术的重要里程碑。同年，EUV构图技术首次应用于7 nm技术代逻辑芯片的量产。插入以对芯片后端（BEOL）的最关键层进行图案化，能够打印间距高达36-40 nm的金属线。

2023年将标志着EUV光刻技术发展的又一个新的里程碑。届时，新一代EUV光刻工具有望进入现场：高数值孔径（high-NA）EUV光刻扫描仪——新设备预计可在较少的图案化步骤中打印2 nm（及以上）逻辑芯片的最关键特征。瑞利方程再次证明了向高NA光刻的过渡是合理的，它提供了用于提高分辨率的第二个“旋钮”——增加投影镜头的数值孔径（NA）。NA控制用于形成图像的光量（更准确地说，衍射级数），从而控制图像的质量。