冒国均，边炜钦，薛海卫，杨光安

（1.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072；2.东南大学，南京 210001）

1 引言

MOS 器件中存在各种寄生的PN 结构，研究PN结的瞬时剂量率效应是研究MOS 器件瞬时剂量率效应的基础。本文基于0.13 μm SOI 工艺的二极管器件模型，通过数值模拟，研究了二极管的瞬态剂量率效应，得到了不同瞬时剂量率、不同偏置电压下的二极管光电流变化关系，对研究深亚微米SOI 工艺器件的瞬态剂量率效应具有一定的参考意义。

2 瞬态剂量率辐射效应

SOI 器件的瞬时剂量率效应是指暴露于脉冲γ 射线辐射的MOS 器件所表现出的电离辐射损伤，瞬时电离脉冲辐射下，MOS 器件PN 结中产生光生载流子，引起PN 结间的光电流流动。

PN 结内产生的光电流包括瞬态漂移光电流和扩散光电流两部分。漂移光电流主要在PN 耗尽区内产生，扩散光电流主要在耗尽区外产生。瞬态漂移光电流的大小为

其中q 为电子电荷，g0为载流子产生率，γRD为瞬时辐射剂量率，V 为耗尽区体积。

当瞬态电离脉冲辐射在二极管N 区、P 区产生光电流作用的距离x1、x2小于电子空穴的扩散长度或与其相当时，P 区收集的扩散光电流近似为

N 区收集的扩散光电流近似为

其中q 为电子电荷，g0为载流子产生率，γRD为瞬时辐射剂量率，Ln、Lp为电子空穴的扩散长度 ；ξp=x1/Lp、ξn=x2/Ln，Ln=Dnτn、Lp=Dpτp。Dn、Dp为电子空穴扩散系数，τn、τp为少子寿命[5-6]，如图 1 所示。

综上所述，PN 结总的瞬态光电流如式（4）：

造模后动物的血脂水平比正常组明显升高（P＜0.05），其中高密度脂蛋白的升高考虑是机体受到胆固醇、甘油三酯和低密度脂蛋白的刺激后产生的应激性增高，属于保护性；……