孟 欢,杨瑞霞,王 健,王增华,马 林

(1.河北工业大学电子信息工程学院，天津 300401；2.中国电子科技集团有限公司第四十六研究所，天津 300220；3.中国电子科技集团有限公司，新型半导体晶体材料技术重点实验室，天津 300220)

0 引 言

有机非线性光学材料相比于无机非线性光学材料，具有非线性光学效率大、介电常数低、电光系数高、响应时间快以及无限的分子设计可能性等独特优点，受到国内外科研工作者的广泛关注[1-2]。4-N,N-二甲胺基-4′-N′-甲基-氮杂芪对甲苯磺酸盐(DAST)晶体作为有机非线性光学晶体的卓越代表，具有超高的二阶非线性系数(在λ=1 318 nm处d11=(1 010±110) pm/V)和电光系数(在λ=720 nm处r11=(92±9) pm/V)，可用于实现0.1～40 THz范围内的宽频太赫兹辐射，是迄今为止效率最高的太赫兹(THz)非线性晶体[3-4]。然而，DAST晶体属于有机吡啶盐类晶体，具有较低的熔点((256±1) ℃)和分解点((260±6) ℃)，只能使用溶液法进行晶体生长[5]。这就导致DAST晶体的生长过程对温度稳定性和溶液稳定性有极高的要求，很难从源头上获得大尺寸、高质量DAST晶体，限制了DAST晶体在产生太赫兹波方面的应用。

目前国内外学者已经研究出多种DAST晶体生长方法，主要包括自发成核法[6]、斜板法[7]、双温区法[8]、籽晶法[9]等。自发成核法是生长晶体最基本的方式，但由于成核周期和成核位置不确定，生成的晶体容易相互粘连形成多晶[10]；斜板法具有可控晶体生长位置的优点，能够在一定程度上控制晶体生长取向，但是无法控制成核数量，难以生长大尺寸晶体[11]；利用双温区法可生长出大尺寸晶体，但由于生长速度较快，影响晶体质量，使生长的晶体无法应用于THz辐射[10]；……