发射率对半导体器件显微红外测温结果的影响
2021-03-19郑世棋翟玉卫梁法国
计量学报 2021年1期
关键词:测量
韩 伟, 刘 岩, 杜 蕾, 郑世棋, 翟玉卫, 梁法国
(中国电子科技集团公司 第十三研究所,河北 石家庄 050051)
1 引 言
近年来,半导体器件、印刷电路板和功率器件等电子器件发挥着越来越重要的作用,在很多领域得到了广泛应用。这些电子器件的性能直接影响整个系统的性能,因此,其性能的可靠性起到了很重要的作用。其中工作结温直接影响电子器件的可靠性,而器件间的连接点只有微米级,常规的检测手段受到了极大的限制,有时甚至无法实现对微米量级器件测温。为了克服常规电路故障检测方法的不足,非接触式的测试方法受到了广泛关注[1~4],其中电路故障的红外热像诊断具有检测速度快、费用低、通用性强、故障检出率和隔离率高、操作简便等优点。
在测量半导体器件温度时,由于器件的结构较小,一般采用具备高空间分辨力的显微红外热像仪。但是它在显示器上所表现出来的图像只是被测物体表面辐射温度的分布,并不是真实温度的分布。物体表面辐射温度和真实温度的分布偏差与发射率有关。目前针对发射率的测量方法及发射率引起的误差已有报道,余时帆等提出了关于固定发射率工作用辐射温度计校准方法的研究[5];邵春滕建立了激光积分球反射计测量系统测量了集成黑体发射率[6];王则瑶等提出了基于高发射率靶标的物体表面温度快速精确测量研究[7];沈久利等提出了不同发射率下红外热图像的非稳态场测量研究[8]。……
登录APP查看全文
