王贵梅，赵 环，刘 苗，朱少杰，孙晓凯

(晶澳太阳能有限公司，邢台 055550)

0 引言

镀膜是太阳电池生产中较为重要的工艺，而氮化硅薄膜一般由PECVD设备来制备[1]。目前，对于产业化生产的板式PECVD设备而言，通常以72～96 h作为1个维护周期，维护工作主要涉及更换设备中的石英管和清理特种气体NH3和SiH4的气孔，以及其他的维护保养工作。在实际的太阳电池生产过程中发现，PECVD设备在维护后初期(约1 h)镀制的氮化硅薄膜容易因膜厚和折射率不稳定，从而导致生产的太阳电池存在色差及电池的光电转换效率偏低的问题。

针对上述问题，本文以板式PECVD设备维护后初期(0～64 min)在多晶硅片表面镀的氮化硅薄膜为研究对象，分析了其膜厚、折射率及腐蚀速率等数据，对此情况下制备的多晶硅太阳电池的电性能进行了分析，并提出了提升设备维护后初期生产品质的方案。

1 实验样品及仪器

本文中的实验硅片采用晶海洋半导体材料(东海)有限公司生产的金刚线切割p型多晶硅片，尺寸为156 mm×156 mm，厚度为180±10 μm，电阻率为1～3 Ω·cm。

采用德国Meyer Burger公司的能量频率为2.45 GHz 的板式PECVD 设备制备氮化硅薄膜，利用北京量拓科技有限公司生产的EMPro-PV椭偏仪测试氮化硅薄膜的膜厚和折射率，采用Halm检测系统检测按照多晶硅太阳电池的标准生产流程生产的太阳电池的电性能数据。

2 实验设计与实验结果分析

2.1 氮化硅薄膜的膜厚、折射率测试

2.1.1 实验设计

选取1台刚进行过设备维护的板式PECVD设备，将设备维护后的所有工艺参数设定成与维护前一致；……