李 豆，苏晋荣，李艳玲

(山西大学 物理电子工程学院，山西 太原 030006)

0 引 言

硅通孔(Through Silicon Vias，TSV)技术作为三维集成电路中的关键技术，其高传输速率、低功耗和高性能等优势，引起了人们的广泛关注[1].然而，制备TSV的工艺还不够成熟，在加工过程中，常因设备精度低造成填充不均匀、填充物质粘连、抛光不彻底等[2]，产生TSV开路、短路等缺陷，进而影响集成电路的性能.对TSV缺陷的有效检测，能剔除有缺陷的元器件，提高集成电路成品率，因此，不少学者对TSV的缺陷检测方法进行了研究.目前报道的检测方法可分为有损检测和无损检测.有损检测一般通过聚离子束等方法切割成品并获取检测部位截面，再利用显微镜对该截面进行观察，确定有无缺陷[3].有损检测会损坏样品，样品无法再使用.而无损检测不损坏样品，样品可再使用，许多学者对无损检测方法进行了研究.例如，文献[4]使用电荷共享和电阻分配技术，利用探针台结合信号放大技术捕捉电压波动实现对TSV缺陷的检测，检测准确率达94%；文献[5]提出用扫描声学显微镜来检测，将110 MHz超声波作为入射信号，通过分析反射信号形成的灰度图像实现对TSV的缺陷检测；文献[6]通过分析对比有无缺陷时地-信号-地(Ground-signal-ground, GSG)型TSV的电特性，提出对其开路、短路缺陷的无损检测方法.

文献[6]的方法针对传输单端信号的GSG型TSV提出，实际应用中，随着传输速率的提升，TSV阵列的密度越来越大，通孔间电磁干扰和噪声耦合带来的影响尤为突出[7].在高频段……