高 扬，陈新伟

(山西大学 物理电子工程学院，山西 太原 030006)

0 引 言

故意电磁干扰(IEMI)是指人为的、有针对性的对电子设备造成的各种干扰.1999年2月，在苏黎世EMC研讨会上对IEMI进行了定义和研究，同年8月国际无线电科学家联盟(URSI)在一次特别会议正式对IEMI的概念、方式以及可能产生的影响进行了讨论，有关这些方面的研究开始引起了国内外学者的关注[1].

故意电磁干扰有许多手段，其中最具破坏力的方式是高功率微波(HPM)和电磁脉冲(EMP)武器产生的高能电磁脉冲.高能脉冲可以与电子设备耦合，通过前门(如天线和传感器)和后门(如通风口开关，电缆)激发破坏性电流对电子设备的元件进行攻击.一般应对此类干扰的方法是使用导电金属外壳将设备与外界隔离，但是大多数的电子和电气设备都有诸如天线端口、通风口等与外界相连的部分，完全隔离难度较大.文献[2]提出一种等离子限幅器的优化思路，引入气体击穿方程对限幅器进行建模，分析了等离子体限幅器的设计参数对性能的影响；文献[3]提出一种限制频率选择表面(LFSS)结构，通过在十字孔形频率选择表面(FSS)的交叉点上加载4个PIN二极管以限制S波段的传输功率；文献[4]提出一种能量敏感带通滤波器(ESBPF)，即在平面带通滤波器的缝隙谐振腔顶部中心加载反平行肖特基势垒二极管，使得其在高功率电磁脉冲下不会丧失带通特性，同时将两个ESBPF级联形成双层结构来提高最大防护功率；文献[5]提出一种基……