张雪珺 ，黄 萌 ，刘佳鸿 ，梁 琳 ，查晓明

（1.武汉大学电气与自动化学院，武汉 430072；2.华中科技大学电气与电子工程学院，武汉 430074）

随着绿色环保、灵活可控的柔性直流输电技术和大功率的高压直流断路器等高压大功率控制技术及其设备的快速发展，对绝缘栅双极性晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）的耐压和功率要求越来越高[1]。然而，由于目前IGBT工艺和制造水平的限制，单个IGBT的耐压水平已无法满足需求，多个IGBT串联使用已经成为解决这一问题最直接最有效的方法。确保串联IGBT器件间的分压均衡是IGBT串联技术的关键[2]。

在串联IGBT运行时，由于每个IGBT内部参数可能存在的不一致和外围电路等因素的影响，会造成串联的器件之间存在电压分配不均衡现象。串联IGBT在开断过程中，存在的电压不均主要分为静态电压不均衡和动态电压不均衡。静态电压不均衡是指当IGBT处于静止状态时，虽然各串联IGBT器件两端的电压基本保持稳定，但是每个IGBT器件的不同伏安特性及温度变化会引起器件间不均压；动态电压不均衡是指当IGBT处于开通和关断瞬态时，IGBT自身参数的差异以及外围电路参数（杂散电感、缓冲电路、驱动电路和控制信号等）的不一致会导致各串联IGBT器件两端的电压不均衡[3]。

为了解决串联IGBT器件之间的不均压现象，国内外学者已经提出多种均压方法。从均压方式的控制方法来分类，可分为主动均压方法和被动均压方法2种。其中，主动均压方法主要通过辅助电路或控制策略直接或间接调整栅极侧输入，从而实现串联IGBT动静态均压；……