涂政乾，董立超，赵东峰，冯迪，王慎泽

(1 北京航空航天大学青岛研究院，山东 青岛 266100;2 北京航空航天大学，北京 100191;3 歌尔股份有限公司，山东 青岛 266100)

1 引言

随着半导体技术的发展，纳米压印工艺逐渐在晶圆的微纳加工中起着越来越重要的作用，为了保证晶圆的良率，需要做好晶圆加工后的检测工作[1-3]。目前晶圆加工过程中容易产生多种类型的缺陷。例如匀胶过程中，晶圆未能均匀匀胶会导致压印图案不完整；压模过程中，模板施压力的不均匀会导致胶平面与压印图案不平整，而且转移层也易进入空气形成气泡缺陷；压印过程中，外界机械力易造成晶圆表面划伤，同时空气环境中细小颗粒易粘附在胶的表面，形成颗粒缺陷等等[4-5]。这些缺陷都会降低玻璃晶圆良率，因此需要进行缺陷检测来剔除不良产品。

晶圆缺陷检测方法大体可以分为主观评价法与客观评价法。其中主观评价法主要是依靠显微镜与人眼直接检测晶圆表面，但是效率低下且容易引入主观误差；客观评价法是依靠检测设备进行直接或间接的检测。现行客观评价法包括光学显微镜直接测量法、全内反射显微法、激光共聚焦显微镜观测法等方法[6-11]。

上述方法中，全内反射显微法、光学显微镜法、激光共聚焦显微镜法都需要先在小范围内用人眼进行缺陷识别与统计，其次对晶圆整体进行扫描，获取整体缺陷信息；扫描电子显微镜需要事先制作合适规格的样品，再进行上述操作，因此效率相比更低；……