曾鑫 冯志斌 张正平 徐代果

纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片

氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。

新一代纳微GaNFast氮化镓功率芯片有十个型号，目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器。

摘要：基于采样管p阱浮空技术用于寄生电容电荷补偿，实现采样开关高线性度。使串联的两个寄生电容的容值变化方向相反，从而实现了容值的相互补偿，使输入管的寄生电容容值不随输入信号幅度变化，相较传统技术，采样开关的线性度得到进一步提高。另一方面，提出了一种高速低噪声动态比较器技术，减小了MOS管的导通电阻，增加了比较器速度，通过衬底自举技术，使比较器输入管的阈值电压明显降低，跨导增加，从而降低了比较器的等效输入噪声，解决了动态比较器速度和噪声之间必须进行折中的技术难点。为了验证上述技术，基于标准65nmCMOS工艺，设计了一款10bit160MSPSSARADC。1V工作电压下，芯片实测功耗为2mW，无杂散动态范围（SFDR）>69dB，信号噪声失真比（SNDR）>55.6dB，ADC核的芯片面积仅为0.023mm2，在莱奎斯特采样情况下，优值（FoM）为25.4fJ/步。

关键词：10bit160MSPS;采样管p阱浮空技术;高速低噪声比较器

中图分类号：TN432

文献标识码：A

0引言

近年来，随着CMOS工艺尺寸……