陈晋贤，季颖娣，林义征，朱定海

(1.同济大学 电子与信息工程学院，上海 201804；2.中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 信息技术处，上海 201203)

1 问题的描述

集成电路晶圆制造由于工艺复杂、工艺步骤多(3～400步)成为影响良率的主要因素，每一步缺陷都将对良率产生影响。其中，集成电路的蚀刻制程需要在晶圆上作出极细微尺寸的图案(Pattern)，而这些图案最主要的形成方式是使用蚀刻(Etching)技术将微影(Lithography)技术所产生的光阻图形，线、面或是孔洞，以化学腐蚀反应的方式，或物理撞击的方式，或上述两种方式结合，精确地移转到薄膜上，从而定义出整个集成电路所需的复杂结构。蚀刻制程造成的生产质量问题主要包括残渣(residue)和凹坑(pits)两种缺陷，如图1所示。在半导体制造过程中，为保证半导体晶圆的生产质量，需要在进入下一生产环节前对产品进行缺陷检测。目前，半导体工厂通常采取抽测的方式或者只检测可能产生缺陷的产品，但是缺陷检测既耗费大量成本和时间，又无法对每一件产品进行检测。如何在尽量减少误报警的情况下对半导体产品缺陷进行及时的精准识别，对半导体产品的生产质量和生产周期具有非常重要的影响。由于半导体产品制程中各项机台运行参数变量能够在一定程度上实时反映制程状态信息，业务人员通常会根据经验采用单参数变量控制的方法进行缺陷检测。然而，制程上单参数变量的误导性质[1]使得单参数变量监测通常会产生大量的错误报警，这是由于产品缺陷是多个因素综合作用产生的结果，单一参数变量不能够完全反映制程状态的变化。……