魏宝坤　吴洁

摘要：负离子磁控溅射在真空镀膜技术得到广泛应用，本文主要是对负离子源溅射真空室进行了设计，优化了尺寸参数和布局设计，包括真空室的尺寸大小、壁厚等参数设计，提高了负离子源溅射室的质量。

关键字：负离子源;溅射室;真空室

引言

现在广泛应用的镀膜技术包括物理、化学气相沉积技术，分子束外延技术（MBE）、化学溶液镀膜，电镀，LB膜技术。物理气相沉积技术包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、脉冲激光镀膜、离子镀。而近些年在镀膜行业风生水起的负离子磁控溅射技术属于物理气相沉积技术的磁控溅射镀膜技术。溅射镀膜技术与其他镀膜相比也具有以下优点：镀膜过程无相变，使用的材料广泛。沉积离子能量大，对衬底有清洗作用，薄膜附着性好。薄膜密度高、重复性好。可以制备大面积的薄膜：但磁控溅射镀膜也有不足，如设备复杂，需要高压，沉积速率低。由此本文研究设计的负离子磁控溅射镀膜技术刚好弥补了传统的磁控溅射技术的不足，大大提高了薄膜的沉積速率，同时解决了传统电镀技术的功耗高、污染高的缺点[1]。本文自主研发了负离子磁控溅射机的部分关键零部件，意在实现高效的镀膜效率，和对设备的优化进而提高镀膜质量。发展和研究负离子磁控镀膜技术，是为了促进我国高新技术的应用，加强传统和现代学科知识的有机结合，同时改善技术扩大材料的应用领域和技术水平，进而直接影响材料行业的发展基础和发展速度。……