许焕庭 梁世琪 陈 仁 崔永亮 梁宏辉 黎丰桥 谢晓琳

(1.佛山科学技术学院物理与光电工程学院 广东 佛山 528000)(2.佛山市国星半导体技术有限公司 广东 佛山 528000)

引言

ITO(氧化铟锡)薄膜，又称为透明导电玻璃，是一种把光学透明性和导电性结合起来的光电薄膜材料。ITO薄膜内部的晶体结构，为体心立方铁锰矿结构。其薄膜的组成是以In2O3:SnO2=9:1的配比组合，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在。ITO薄膜具有良好的化学稳定性能和物理抗摩擦性能。通过合理的制备方法，使得薄膜在玻璃或者柔性有机物衬底上沉积都具有较强的附着力[1]。

一、ITO薄膜的制备和快速热退火处理

ITO薄膜最重要的物理性能是导电性和透光性，而薄膜的光电性能主要体现在于表面形貌规整、各处成分均匀、薄膜结晶性好等。虽然有不少前人对ITO薄膜的退火处理做了相关实验研究，但是不同类型几台以及不同的工艺参数沉积的薄膜结构不同[4-6]，本文采用Evatec磁控溅射机台沉积的薄膜做RTA退火研究，在O2和N2配比气氛下进行退火处理条件，制备了不同膜厚ITO薄膜，研究了退火处理温度、时间、气氛配比和膜厚对ITO薄膜结构与性能的影响。

二、实验方法

(一)实验仪器与实验材料

本实验使用的仪器设备：瑞士半导体设备厂商Evatec生产的磁控溅射镀膜机，型号5601Y/QT-5四探针探测仪测量薄膜的面电阻，采用型号为Filmtek 1500光反射仪测量薄膜的可见光透过率，ESD-800静电放电测试仪测量芯片的电流密度分布，SEM电子显微镜测量薄膜厚度，使用硅点点测机测量芯粒的发光亮度、电压波长等数据。……