陈炳欣

近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI（22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。eMRAM属新型存储技术，与当前占据市场主流的DRAM和NAND闪存相比，具有更快的存取速度和更高的耐用性，在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM的潜质。它在22nm工艺下的投产，将加快新型存储技术的应用进程，未来发展前景看好。

eMRAM逐步进入量产阶段

根据格芯的报告，将在德国德累斯顿1号晶圆厂的12英寸生产线，进行eMRAM的制造加工。目前，格芯正在接洽多家客户，计划于2020年安排多次生产流片。这也意味着，采用22nm FD-SOI工艺的eMRAM有望于2020年投入量产，采用相关芯片产品的终端设备于2021年有望面世。

eMRAM属新型存储技术，相比DRAM和NAND闪存，具有更快的存取速度和更高的耐用性，适用于物联网、通用微控制器、汽车电子、终端侧人工智能设备和其他低功耗设备当中。基于22nm FD-SOI先进工艺节点制造，产品将具有更高的性价比。格芯汽车、工业和多市场战略业务部门高级副总裁和总经理Mike Hogan表示：“客户可利用这些解决方案来构建适用于高性能和低功耗应用的创新产品。基于FDX平台生产的eMRAM，更有利于集成在高性能射频、低功耗逻辑和集成电源管理的解决方案中实现产品的差异化。”

除格芯之外，其他半导体厂商对于eMRAM等新型存储器的开发也非常重视。2019年年初，三星曾宣布基于28nm FD-SOI工艺，在韩国器兴厂区投产eMRAM，并计划生产1千兆容量的eMRAM测试芯片，为大规模生产做准备。三星代工市场副总裁Ryan Lee表示：“通过eMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合，三星晶圆代工将继续扩大新兴的非易失存储器工艺产品组合，以满足客户和市场需求。……