崔德耀

新特能源股份有限公司 新疆乌鲁木齐 830026

1 概述

近些年来，随着我们国家在电子技术以及智能化技术等方面的飞速发展，使得其芯片的应用越来越广泛，其中在对芯片的原材料需要用到较高纯度的电子级多晶硅；然而在电子级多晶硅的工业生产过程中往往由于其中存在的杂质（B、P）很难被去除，进而对电子级多晶硅的纯度等有着显著的制约影响作用，于是为了能够让电子级多晶硅更好的应用与当前的国内国际市场，就需要对其制备工艺进行不断优化改善[1]。早期在对电子级多晶硅进行制备时往往选择增加精馏塔的数量等方式方法进行提纯，但是由于工艺流程的增长，也就意味着管道设备中的金属杂质更容易进入多晶硅中，增加多晶硅中的表金体金；在实践中随即出现了吸附和膜分离技术，该技术的应用为提升电子级多晶硅的制备纯度、有效降低杂质含量有着显著促进作用。故本文选择以吸附和膜分离技术为研究对象，对其电子级多晶的制备进行实证研究，在此基础上对该方法的存在问题、研究进展等进行论述。

2 电子级多晶硅工艺中的杂质及其危害

2.1 杂质的种类及进入途径

在电子级多晶硅的制备过程中的杂质来源主要有两类，一类是工业硅中所存在一些物质，例如硼、磷、铁、钙、铝等；另外一部分的杂质则主要来源于制备工艺中相关设备以及器材在实际进行制备过程中经腐蚀所带进来的一些金属元素，例如管道、阀门中的所含有的铁、铜、锰、钠、钛、镍等元素，并且还会有诸如碳、甲烷有机无机杂质；……