综合法国市场研究公司优乐（Yole）和英国市场调查机构马基特（IHS Markit）的数据，2018年全球碳化硅（SiC）电力电子器件市场规模约3.9亿美元，氮化镓（GaN）电力电子器件市场规模约0.5亿美元，两者合计市场规模在4.4亿美元左右，占整体电力电子器件市场规模的比例达到3.4%左右。IHS Markit预计，SiC和GaN电力电子器件预计将在2020年达到近10亿美元。Yole统计，2018年全球3W以上GaN射频器件（不含手机PA）市场规模达到4.57亿美元，预计到2023年市场规模将达到13.24亿美元，年复合增长率超过23%。

技术层面，SiC同质外延和Si基GaN异质外延片商业化最大尺寸为6英寸，8英寸产品也已开发出。据第3代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）统计数据显示，商业化SiC肖特基二极管最高耐压达3 300V，最高工作温度下的电流小于 60A；SiC金属—氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）目前最高耐压为1 700V，最高工作温度下电流在65A以下；全SiC功率模块耐压达到3 300V，最高电流达到800A，并已开发出6 500V样品；硅（Si）基GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）朝集成化方向发展，最高电压为650V，室温下（25℃）最大电流为120A，创下新高。商业化RF GaN HEMT工作频率达到25GHz，最大功率实现1 800W。此外，2018年，众多企业也推出GaN单片微波集成电路（MMIC）产品。

产业层面，2018年，因应电动汽车、光伏等市场拉动，第3代半导体电力电子器件供不应求，国际电力电子器件厂商纷纷启动扩产，如美国Ⅱ—Ⅵ公司、日本昭和电工株式会社（以下简称“昭和电工”）、日本罗姆（ROHM）半导体集团、美国X—Fab和中国台湾的汉磊科技股份有限公司（以下简称“汉磊科技”）等均已发布扩产计划。此外，2018年，国际第3代半导体SiC和GaN领域（除LED外）企业间并购活动也相对活跃，共有6起并购案例，披露交易金额接近100亿美元。……