三星宣布完成5纳米EUV开发 意图与台积电争世界霸主

据报道，4月17日，三星通过官网新闻中心宣布实现基于EUV光刻的5纳米FinFET工艺，并已准备好投入生产。据悉，三星电子还计划于近期推出7nm产品，并在今年批量生产6nm产品。

与7nm相比，三星的5纳米FinFET工艺使特定面积的晶体管数量增加了25%，性能提升10%，功耗降低20%。此外，它是三星重复利用7nm相关知识产权的成果，因此大幅减少了时间成本和落地成本。

据悉，该公司早在2017年就推出了EUV 7nm工艺，并与竞争对手台积电展开激烈竞争以锁定客户。日前，三星已将更多资源投入其逻辑芯片和合约芯片制造业务，这些业务一直都落后于其内存半导体业务。本月早些时候，三星开始大规模生产5G网络芯片，以便在下一代无线市场上占据一席之地。三星电子副会长李在镕此前表示，“到2030年，我们将成为非存储半导体的佼佼者。”（朝鲜日报）

纳米金属机械稳定性的反常晶粒尺寸效应发现

纳米金属的晶界在机械变形作用下容易发生晶界迁移并伴随晶粒长大，使得纳米材料发生软化，这种现象在拉伸、压缩、压痕等变形条件下均有大量实验和相关计算模拟结果的报道。

据报道，近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心卢柯院士、李秀艳研究员发现，对于塑性变形制备的纳米晶铜（Cu）、银（Ag）、镍（Ni）样品，准静态拉伸变形时，随着晶粒尺寸从亚微米减小至纳米量级，晶界迁移先逐渐增强，而当晶粒尺寸小于临界值时，晶界迁移逐渐受到抑制，这一结果颠覆了传统的认识，与其在纳米晶热稳定性晶粒尺寸反常效应的相关发现一致。……