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基于微结构阵列基板的高效顶发射OLED器件

2019-09-13王江南宁舒雅张方辉

液晶与显示 2019年8期
关键词:效率结构

王江南,丁 磊,倪 婷,宁舒雅,张方辉

(陕西科技大学 电气与控制工程学院,陕西 西安 710021)

1 引 言

有机电致发光二极管(OLED)自被发明以来,以其独有的自发光、广视角、高亮度、可柔性等诸多特点受到广泛的关注。由于在有源驱动OLED显示面板中需要使用不透明薄膜晶体管组成的像素电路来驱动OLED,因此会遮挡常规底发射OLED器件发出的光,导致出光开口率低,同时对器件的效率和寿命产生严重影响。然而顶发射OLED器件是从半透明阴极出光,而不会透过基板,因此使用顶发射OLED可以提高AMOLED面板的开口,同时大幅度提升光效[1]。因为顶发射OLED器件两侧电极均具有反射特性,顶发射OLED器件拥有较强的微腔效应。从发光层发出的光与经过电极反射的光会发生宽角干涉和多光束干涉,通过微腔结构设计可增强满足干涉条件的光,削弱其它光,从而实现较高的色纯度[2]。但同时微腔可加强器件的内部光强,加重了器件的光波导损失,而两侧金属电极同样加重了器件光损失[3-4],因此,对顶发射OLED的光取出的研究至关重要。为此研究者们提出了很多方法,试图提高顶发射OLED器件的耦合效率。Pyo等[5]在顶发射OLED层之上增加了一层纳米空隙的聚合物薄膜作为光取出层,来提高出光效率,改善视角特性。Park等[6]利用等离子刻蚀,在PMMA上形成随机的起伏,制成褶皱器件,引起器件内部光散射,提高器件光取出效率。Qu等[7]在基板上制备金属网格,降低光损失。同时通过周期性腔长变化和网格散射减弱微腔效应,改善视角特性。……

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