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铁电存储器在捷联惯性导航系统中的应用研究

2019-07-10陈令刚陈鸿跃段祉鸿朱曦曼

中国设备工程 2019年11期
关键词:捷联存储器赋值

陈令刚,陈鸿跃,段祉鸿,朱曦曼

(北京航天发射技术研究所,北京 100076)

捷联惯组上电初始化时需要读取内部存储器上的大量惯组参数,参数数量多达上千个,而当采用参数三取二模式时,读取参数次数甚至高达数千次。目前,捷联惯组系统一般采用支持I2C总线的EEPROM存储芯片,该芯片读写速度较慢,导致捷联惯组上电初始化过程中在参数读取阶段耗费时间较长,这无法满足新产品对捷联惯组就绪准备时间短的要求。因此,提高捷联惯组内部参数读取性能十分必要。

近年来,铁电存储器(FRAM)技术得到了飞速发展,其特点是速度快,能够像RAM一样进行操作,读写功耗极低,成为EEPROM存储器的理想替代芯片,本文采用了铁电存储器作为某惯组系统内部参数的存储器,使惯组系统上电初始化时间大为缩短,实现了惯组系统上电初始化的快速性要求。

1 相关硬件组成

捷联惯组初始化参数主要是通过惯组内部主控计算机板完成,而与参数读取相关的主要芯片包括DSP芯片(TMS320C6674)、FPGA芯片(XC3S1400AN)以及FRAM芯片(FM25V20),具体连接关系,见图1。

1.1 TMS320C6674

TMS320C6674是德州仪器公司推出的一款多核DSP,内核共有4个,主频最高达1.25GHz,同时支持定点与浮点运算,片上资源丰富,并且支持扩展片外DDR3。

1.2 XC3S1400AN

XC3S1400AN是赛灵思公司推出的一款140万门FPGA芯片,与TMS320C6674通过EMIF接口实现连接,通过SPI总线与FM25V20实现连接。

1.3 FM25V20

FM25V20芯片是赛普拉斯公司推出的一款内含256K×8Bit、极低功耗的存储芯片,可擦写100兆亿次以上,数据保存年限为151年,双线串行接口,支持I2C总线协议。

图1 参数存取主要芯片连接示意图

2 FRAM参数存取

2.1 初始化参数

捷联惯组初始化参数主要包括陀螺修正模型参数、石英加速度计修正模型参数、刻度系数参数、零位参数、温度补偿参数、自标定修正参数、系统级标定参数、Kalman滤波参数等。通过统计,目前这些参数的总个数已经达到了1210个,由于参数读取采用了三取二模式,因此初始化参数读取次数最高达到1210×3(次),对于原有EEPROM存储器,读取一个参数一般需要延时10~15ms,捷联惯组初始化过程读取所有参数则需要大概50s左右。然而,FRAM存储器操作频率最高达40MHz,读取或写入可以跟随总线速度,因此,采用FRAM存储器则可以大大降低初始化参数的读取时间。

2.2 参数读取

捷联惯组上电后,初始化过程中当读取FRAM参数时,严格按照FRAM芯片的读取流程进行操作,操作步骤如下:判断状态寄存器是否就绪;赋值地址长度寄存器;赋值地址寄存器;命令寄存器赋值0xda;判断状态计算器是否就绪;从读数据寄存器逐字节读取数据;复位寄存器写入复位指令0xff。具体流程图参见图2所示。

图2 FRAM参数读取流程图

2.3 参数写入

捷联惯组在工作过程中,当需要对FRAM上的参数进行更新时,严格按照FRAM芯片的写入流程进行操作,操作步骤如下:(1)判断状态寄存器是否就绪;(2)赋值地址长度寄存器;(3)逐字节将待写数据赋值给写数据寄存器;(4)地址值赋值地址寄存器;(5)命令寄存器赋值0x5a;(6)判断状态计算器是否就绪;(7)复位寄存器写入复位指令0xff。具体流程图参见图3所示。

3 试验验证

通过采用仿真器进行断点调试的方式,分别对采用FRAM和EEPROM进行参数存储的捷联惯组系统进行测试,测试结果参见表1所示。

图3 FRAM参数写入流程图

表1 捷联惯组初始化参数读取

由表1可知,FRAM参数读取速度极快,同时系统初始化完成后各数据显示正确,设备工作正常,说明FRAM参数读取结果准确无误。

4 结语

本文依据新产品对捷联惯组系统初始化快速性要求,采用FRAM芯片替代了原有的EEPROM芯片。试验表明,捷联惯组系统初始化就绪时间由原来的2min左右降至1min以内,使捷联惯组系统满足了新产品的要求,实现了产品的优化设计。

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