， ，永刚，，

(1.上海应用技术大学材料科学与工程学院，上海201418；2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所;碳纤维制备技术国家工程实验室，浙江宁波315201； 3. 中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室，吉林长春130012)

碳化硅(SiC)不仅是一种强共价键型碳化物，而且还是一种性能优异的工程陶瓷材料[1]。由于SiC分解温度最高可达2 600 ℃，因此SiC不仅常温下强度、硬度、耐磨损性等性能优良，且高温下具有优良的抗氧化性和抗蠕变性。目前碳化硅陶瓷材料已广泛应用于航空航天、化工、机械、交通、能源及冶金等领域，被认为是火箭发动机、燃气涡轮机、先进热机、热交换器、高温耐磨件等最优的候选材料之一[2-4]。

SiC陶瓷构件的制备方法较多，注浆浸渍成型是最常用的方法之一，其关键在于制备高固相含量(固相体积分数)、低黏度、分散均一且稳定碳化硅陶瓷浆料, 但是SiC粉体粒径较小，表面含有大量的硅羟基，极性较大，极易发生团聚和沉降，因此很难在水基体系中形成稳定的浆料体系[5-7]。研究表明，加入分散剂可以改变粉体颗粒的表面特性，如提高粉体颗粒表面的润湿性及颗粒间的排斥势能，从而提高粉体颗粒在水基体系中的分散性和稳定性。张智[8]通过添加硅溶胶制备出固相体积分数为69%的SiC浆料。李玮等[9]使用四甲基氢氧化铵作为分散剂，研究其对SiC浆料流变性的影响及作用机理。研究发现四甲基氢氧化铵能够显著提高SiC粉体的Zeta电位，减小浆料黏度，从而提高浆料流变性能。……